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三菱電機(jī)投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線擴(kuò)大碳化硅功率器件產(chǎn)量

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放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2017-08-15   瀏覽次數(shù):967
核心提示:三菱機(jī)電半導(dǎo)體首席技巧履行官GourabMajumdar博士日前表現(xiàn),為了進(jìn)步三菱機(jī)電旗下碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲入滲出率,公司曾經(jīng)開(kāi)端投資興修6英寸晶圓臨盆線來(lái)擴(kuò)產(chǎn),再合營(yíng)立異技巧向市場(chǎng)推出更多采取碳化硅芯片的功率

三菱機(jī)電半導(dǎo)體首席技巧履行官GourabMajumdar博士日前表現(xiàn),為了進(jìn)步三菱機(jī)電旗下碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲入滲出率,公司曾經(jīng)開(kāi)端投資興修6英寸晶圓臨盆線來(lái)擴(kuò)產(chǎn),再合營(yíng)立異技巧向市場(chǎng)推出更多采取碳化硅芯片的功率器件新產(chǎn)物。

在剛舉辦的PCIM亞洲2017展上,Majumdar博士稱(chēng),三菱機(jī)電從2013年開(kāi)端推出第一代碳化硅功率模塊,至2015年進(jìn)入第二代產(chǎn)物,而且率先投產(chǎn)4英寸晶圓臨盆線。因?yàn)樘蓟栊枨罅考彼僭黾樱鈾C(jī)電投資建造6英寸晶圓臨盆線,合營(yíng)新技巧來(lái)縮少芯片尺寸,估計(jì)在2018年推出第三代碳化硅功率器件。

三菱,碳化硅功率器件,6英寸晶圓生產(chǎn)線

三菱機(jī)電半導(dǎo)體首席技巧履行官GourabMajumdar博士稱(chēng)自從在1996年推出DIPIPMTM后,累計(jì)出貨量已跨越5億顆,右為三菱機(jī)電半導(dǎo)體年夜中國(guó)區(qū)總司理四個(gè)所年夜亮師長(zhǎng)教師,左為三菱機(jī)電半導(dǎo)體年夜中國(guó)區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)錢(qián)宇峰師長(zhǎng)教師。

擴(kuò)產(chǎn)可調(diào)劑價(jià)錢(qián)

因?yàn)槿蓟韬突祀s型碳化硅的價(jià)錢(qián)與單晶硅的差距仍年夜,Majumdar博士表現(xiàn)全體出貨量照樣比擬少,重要運(yùn)用在日本新支線,工業(yè)范疇的數(shù)控機(jī)床和太陽(yáng)能逆變器上,他希冀在6英寸晶圓臨盆線投產(chǎn)后,價(jià)錢(qián)無(wú)望可以調(diào)劑。

Majumdar博士指出,碳化硅的優(yōu)勢(shì)在超高頻運(yùn)用,而且抗結(jié)溫才能很高,可讓電子電力體系更平安、更小型化和更輕量化。

在本年的PCIM亞洲展中,三菱機(jī)電展出一款曾經(jīng)量產(chǎn),特殊合適變頻家電的全碳化硅超小型產(chǎn)物DIPIPMTM,其二極管及MOSFET均采取碳化硅,削減消耗及噪聲,令效力更高。它與市場(chǎng)上普遍運(yùn)用的超小型的DIPIPMTM封裝雷同,可采取異樣的電路板,額外電流籠罩15A、25A/600V,裝備集成短路掩護(hù)、欠壓掩護(hù)及溫度模仿量輸入。

三菱,碳化硅功率器件,6英寸晶圓生產(chǎn)線

變頻家電用的碳化硅功率器件

至于運(yùn)用在工業(yè)上的全碳化硅MOSFET和SBD,它的消耗比單晶硅器件年夜幅削減70%,更強(qiáng)的高頻開(kāi)關(guān)特征,可使周邊器件小型化,削減全體封裝尺寸,額外電流籠罩1200V/400A和1200V/800A兩個(gè)產(chǎn)物。現(xiàn)時(shí)正在開(kāi)辟更多產(chǎn)物,估量到2020年可以推出全線產(chǎn)物。

全新HVIPM含三年夜掩護(hù)功效

三菱機(jī)電在PCIM亞洲展2017中,初次在中國(guó)展出全新的HVIPM高壓智能功率模塊,可以運(yùn)用在鐵道牽引上。Majumdar博士引見(jiàn)稱(chēng),與HVIGBT比擬,它的優(yōu)勢(shì)在于內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路和掩護(hù)電路,具有過(guò)流掩護(hù)、過(guò)溫掩護(hù)及欠壓掩護(hù)三年夜功效,一旦體系涌現(xiàn)異常就可以平安地停滯運(yùn)作。采取HVIPM開(kāi)辟牽引變流器,使周邊電路更簡(jiǎn)化,開(kāi)辟周期更短,產(chǎn)物應(yīng)用壽命和靠得住性加強(qiáng)。

他續(xù)指出,HVIPM跟市場(chǎng)上普遍運(yùn)用的HVIGBT比擬,封裝尺寸一樣,而且主端子兼容,客戶可以隨意馬虎地以HVIPM來(lái)代替HVIGBT。

HVIPM有3.3kV/1500A和6.5kV/750A兩個(gè)規(guī)格,除電壓品級(jí)及電流品級(jí)分歧外,包管結(jié)溫點(diǎn)也分歧,6.5kV產(chǎn)物和今朝的HVIGBT是統(tǒng)一個(gè)程度,從—400C到1250C;而3.3kV是從—500C到1500C。

高功率密度J1系列車(chē)載功率模塊

跟著新動(dòng)力汽車(chē)的普及,Majumdar博士稱(chēng)市場(chǎng)非常看好這個(gè)范疇,三菱機(jī)電早已開(kāi)辟車(chē)載功率模塊,至今全球年夜約有1,000萬(wàn)輛汽車(chē)應(yīng)用三菱機(jī)電的半導(dǎo)體功率模塊。

Majumdar博士表現(xiàn),三菱機(jī)電汽車(chē)公用功率模塊的優(yōu)勢(shì)在于系列更廣,分J1A和J1B兩種。J1A是700A以下的小功率產(chǎn)物,而J1B是年夜功率的,電流可以到達(dá)1000A。兩種產(chǎn)物疊加起來(lái)的話,籠罩300A到1000A的電流品級(jí)和650V到1200V的耐壓值產(chǎn)物。

J1B年夜功率產(chǎn)物系列是六合一,有1000A/650V和600A/1200V兩種,一個(gè)模塊便可以把主驅(qū)動(dòng)體系搭起來(lái)。這個(gè)產(chǎn)物采取了第七代IGBT芯片,功率密度很高,雜散電感異常小,不含鉛的設(shè)計(jì)相符環(huán)保請(qǐng)求。J1A和J1B的產(chǎn)物采取針型的散熱器,可以直接插到車(chē)身的水槽內(nèi)停止水冷散熱。

因?yàn)镴1系列產(chǎn)物驅(qū)動(dòng)及全體散熱的開(kāi)辟照樣比擬龐雜,為了便于中國(guó)客戶采取,三菱機(jī)電給每一個(gè)產(chǎn)物設(shè)置裝備擺設(shè)響應(yīng)的全體處理計(jì)劃,包含驅(qū)動(dòng)板、薄膜電容、散熱器等等,以延長(zhǎng)客戶的開(kāi)辟周期。

三菱,碳化硅功率器件,6英寸晶圓生產(chǎn)線

三菱機(jī)電第7代IGBT模塊初次作全電壓、全封裝及全系列展出。

總的來(lái)講,三菱機(jī)電半導(dǎo)體功率器件普遍地運(yùn)用在工業(yè)及新動(dòng)力、機(jī)車(chē)牽引、新動(dòng)力汽車(chē)和家電四年夜范疇,各年夜運(yùn)用的發(fā)賣(mài)額比例根本是25%至30%。 


三菱機(jī)電電機(jī)(上海)無(wú)限公司簡(jiǎn)介

三菱機(jī)電創(chuàng)建于1921年,是全球著名的綜合性企業(yè)團(tuán)體。在2017年的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中,名列第276。

作為一家技巧主導(dǎo)型的企業(yè),三菱機(jī)電具有多項(xiàng)搶先技巧,并憑壯大的技巧實(shí)力和優(yōu)越的企業(yè)信用在全球的電力裝備、通訊裝備、工業(yè)主動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占領(lǐng)側(cè)重要的位置。

三菱機(jī)電電機(jī)(上海)無(wú)限公司把宏揚(yáng)國(guó)人聰明,首創(chuàng)電機(jī)新紀(jì)元視為義不容辭的責(zé)任與任務(wù)。憑仗優(yōu)勝的技巧與發(fā)明力進(jìn)獻(xiàn)家當(dāng)?shù)某砷L(zhǎng)以增進(jìn)社會(huì)繁華。

三菱機(jī)電半導(dǎo)體產(chǎn)物包含三菱功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)物,個(gè)中三菱功率模塊在機(jī)電掌握、電源和白色家電的運(yùn)用中有助于您完成變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)物將為您在各類(lèi)模仿/數(shù)字通信、有線/無(wú)線通信等運(yùn)用中供給處理計(jì)劃。

更多信息,請(qǐng)上岸三菱機(jī)電電機(jī)(上海)無(wú)限公司網(wǎng)站:http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱機(jī)電半導(dǎo)體全球網(wǎng)站:www.mitsubishielectric.com/semiconductors,或請(qǐng)存眷【三菱機(jī)電半導(dǎo)體】官方微信,微信"號(hào)“GCME-SCD”。

 
 
 
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